东芝公司开发了一种原型三栅极 IGBT，可在用于控制电力的功率半导体中，在开启和关闭(开关损耗)(允许和停止电流的过程)时将总功率损耗降低多达 40.5%。 由于...
本周，在 2021 年 VLSI 技术和电路研讨会 (VLSI 2021) 上，世界领先的纳米电子和数字技术研究和创新中心 imec 首次展示了全功能集成叉片场效应晶体管 (FET)...
物理学家已经找到了一种方法，可以使用在下一代太阳能电池和发光二极管 (LED) 中的性能得到高度评价的材料制造晶体管。研究人员已经克服了材料的离子含量干...
